您当前所在的位置:首页 > 产品中心 > 产品信息
乙硅烷_分子结构_CAS_1590-87-0)
点击图片或这里关闭

乙硅烷

产品号 463043 公司名称 Sigma Aldrich
CAS号 1590-87-0 公司网站 http://www.sigmaaldrich.com
分子式 H6Si2 电 话 1-800-521-8956
分子量 62.21864 传 真
纯 度 电子邮件
保 存 Chembase数据库ID: 127147

产品价格信息

请登录

产品别名

标题
Disilane
IUPAC标准名
disilane
IUPAC传统名
disilane

产品登记号

PubChem SID 24869889
CAS号 1590-87-0
EC号 216-466-5
MDL号 MFCD00054678

产品性质

GHS危险品标识 GHS02
GHS危险品标识 GHS04
GHS危险品标识 GHS07
GHS危险品标识 GHS08
GHS警示词 Danger
GHS危险声明 H220-H280-H312-H315-H319-H332-H334-H335
欧盟危险性物质标志 易燃性(Flammable) 易燃性(Flammable) (F)
欧盟危险性物质标志 有害性(Harmful) 有害性(Harmful) (Xn)
MSDS下载 下载链接
个人保护装置 Eyeshields, Faceshields, Gloves, half-mask respirator (US), multi-purpose combination respirator cartridge (US)
GHS警示性声明 P210-P261-P280-P305 + P351 + P338-P342 + P311-P410 + P403
RID/ADR UN 3161 2.1
危险公开号 17-20/21-36/37/38-42
安全公开号 16-24-26-36/37/39
联合国危险货物等级 2.1
联合国危险货物编号 3161
德国WGK号 3
级别 electronic grade
杂质 ≤50 ppm Higher silanes
杂质 <0.2 ppm Chlorosilanes
杂质 <1 ppm Argon (Ar) + Oxygen (O2)
杂质 <1 ppm Carbon dioxide (CO2)
杂质 <1 ppm Nitrogen (N2)
杂质 <1 ppm THC
杂质 <1 ppm Water
杂质 <5 ppm Siloxanes
线性分子式 Si2H6
外观 gas
沸点 -14.5 °C(lit.)
闪点 <10 °C
闪点 <50 °F
熔点 -132.6 °C(lit.)
转变温度 critical temperature 150.9 °C

产品详细信息

详细说明 (English)
Features and Benefits
Disilane is used for the deposition of amorphous silicon, epitaxial silicon and silicon based dielectrics via rapid low-temperature chemical vapor depsition (LTCVD).2 Disilane is also used in the epitaxial growth of SiGe films by molecular beam epitaxy (MBE) in conjunction with solid sources of germanium.3 Precursor for the rapid, low temperature deposition of epitaxial silicon and silicon-based dielectrics.4
General description
Atomic number of base material: 14 Silicon
Packaging
20 g in ss cylinder
Application
Precursor for the rapid, low temperature deposition of epitaxial silicon and silicon-based dielectrics.1
Recommended products
Stainless steel regulators Z527416 or Z527424 are recommended.
详细说明 (简体中文)
Features and Benefits
通过快速低温化学气相沉积 (LTCVD),本品可用于无定形硅、外延硅和硅基电介质的沉积。2通过分子束外延 (MBE),与锗的固体原料相结合,还可用于硅锗薄膜的外延生长。3外延硅和硅基电介质快速低温沉积的前体。4
General description
Atomic number of base material: 14 Silicon
包装
20 g in ss cylinder
Application
外延硅和硅基电介质快速低温沉积的前体。1
Recommended products
推荐使用不锈钢调节器 Z527416 或 Z527424。

参考文献