锑化镓

• 产品号: 651478
• CAS号: 12064-03-8
• 分子式: GaH2Sb
• 分子量: 193.49888

产品别名

• 标题: Gallium antimonide
• IUPAC标准名: gallanylidynestibane
• IUPAC传统名: gallium antimonide

产品登记号

• PubChem SID: 24883831
• CAS号: 12064-03-8
• EC号: 235-058-8
• MDL号: MFCD00016101

产品性质

• 直径 × 厚度: 2 in. × 0.5 mm
• 线性分子式: GaSb
• 外观: (single crystal substrate)
• 密度: 5.619 g/mL at 25 °C
• 密度: 5.62 g/mL at 25 °C(lit.)
• 熔点: 710 °C
• 熔点: 980 °C(lit.)
• 电阻率: ~0.1 Ω-cm
• 半导体性质: <100>
• GHS警示词: Warning
• GHS危险声明: H302-H332-H411
• 欧盟危险性物质标志: 有害性(Harmful) (Xn)
• 欧盟危险性物质标志: 环境危害性(Nature polluting) (N)
• 个人保护装置: dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
• GHS警示性声明: P273
• RID/ADR: UN 1549 6.1/PG 3
• 危险公开号: 20/22-51/53
• 安全公开号: 61
• 联合国危险货物等级: 6.1
• 联合国危险货物编号: 1549
• 联合国危险货物包装类别(PG): 3
• 德国WGK号: 2

产品详细信息

详细说明 (English)

Packaging
1 ea in rigid mailer
Physical form
cubic (a = 6.095Å)
Physical properties
Thermal expansion: 6.1 x 10-6/oK; Thermal conductivity: 270 mW/cm.k at 300K; Mobility 600~800 cm2/V · sec
Undoped, P-type semiconductor, growth technique: LEC, carrier concentration = 1-2 × 10-17 cm-3, EPD <103 cm-2

详细说明 (简体中文)

包装
1 ea in rigid mailer
Physical form
立方晶系 (a = 6.095Å)
Physical properties
未掺杂的 P 型半导体，生长技术：液封直拉法，载流子浓度 = 1-2×10-17cm-3，蚀坑密度 <103cm-2
热膨胀：6.1×10-6/oK；热导率：270mW/cm.k (300K)；迁移率 600~800cm2/V·s