四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)锆

• 产品号: 478865
• CAS号: 18865-74-2
• 分子式: C44H76O8Zr
• 分子量: 824.29344
• 纯 度: ≥99.99%

产品别名

• 标题: Zirconium tetrakis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate)
• IUPAC标准名: 2,2,6,6-tetramethyl-5-({tris[(2,2,6,6-tetramethyl-5-oxohept-3-en-3-yl)oxy]zirconio}oxy)hept-4-en-3-one
• IUPAC传统名: 2,2,6,6-tetramethyl-5-({tris[(2,2,6,6-tetramethyl-5-oxohept-3-en-3-yl)oxy]zirconio}oxy)hept-4-en-3-one
• 别名: Zr(TMHD)4

产品登记号

• MDL号: MFCD00145380
• PubChem SID: 24871583
• CAS号: 18865-74-2

产品性质

• 线性分子式: Zr(OCC(CH3)3CHCOC(CH3)3)4
• 纯度: ≥99.99%
• 外观: solid
• 熔点: 332-339 °C(lit.)
• GHS警示词: Warning
• GHS危险声明: H315-H319-H335
• 欧盟危险性物质标志: 刺激性(Irritant) (Xi)
• 个人保护装置: dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
• GHS警示性声明: P261-P305 + P351 + P338
• 危险公开号: 36/37/38
• 安全公开号: 26-36
• 德国WGK号: 3

产品详细信息

详细说明 (English)

Features and Benefits
Precursor for zirconia thin films, with deposition at lower temperatures promoted by Pd(hfac)2,2 or yttria-stabilized zirconia films on silicon and on stainless steel substrates.3 Zirconium source precursor for good quality MOCVD of PNZT.1
General description
Atomic number of base material: 40 Zirconium
Packaging
5, 25 g in glass bottle
Application
Zirconium source precursor for good quality MOCVD of PNZT.1

详细说明 (简体中文)

Features and Benefits
二氧化锆薄膜的前体，在低温下受 Pd(hfac)2 的促进会发生沉积，2或为硅和不锈钢基底上氧化钇稳定氧化锆薄膜的前体。3作为锆源前体用于锆铌钛酸铅 (PNZT) 的高质量金属有机化学气相沉积。1
General description
Atomic number of base material: 40 Zirconium
包装
5, 25 g in glass bottle
Application
作为锆源前体用于锆铌钛酸铅 (PNZT) 的高质量金属有机化学气相沉积。1