trisilicon(4+) ion tetraazanetriide

• ChemBase编号: 303033
• 分子式: N4Si3
• 平均质量: 140.2833
• 单一同位素质量: 139.94307562
• SMILES: [NH3-3].[NH3-3].[NH3-3].[NH3-3].[SiH4+4].[SiH4+4].[SiH4+4]
• Canonical SMILES: [NH3-3].[NH3-3].[NH3-3].[NH3-3].[SiH4+4].[SiH4+4].[SiH4+4]
• InChI: InChI=1S/4N.3Si/q4*-3;3*+4
• InChIKey: UXFMSENVARGFMI-UHFFFAOYSA-N

名称和登记号

名称

• IUPAC标准名: trisilicon(4+) ion tetraazanetriide
• IUPAC传统名: trisilicon(4+) ion tetraazanetriide
• 别名: 氮化硅(IV),α-相; 氮化硅(IV), 电子级; 氮化硅(IV); 氧化镁粘结型氮化硅(IV)溅射靶, 76.2mm (3.0in) 直径 x 3.18mm (0.125in) 厚; 氧化镁粘结型氮化硅(IV)溅射靶, 50.8mm (2.0in) 直径 x 6.35mm (0.250in) 厚; 氧化镁粘结型氮化硅(IV)溅射靶, 76.2mm (3.0in) 直径 x 6.35mm (0.250in) 厚; 氧化镁粘结型氮化硅(IV)溅射靶, 50.8mm (2.0in) 直径 x 3.18mm (0.125in) 厚; 氮化硅(IV), α-相; Silicon(IV) nitride, alpha-phase; Silicon(IV) nitride, Electronic Grade; Silicon(IV) nitride; Silicon(IV) nitride, MgO binder, sputtering target, 76.2mm (3.0in) dia x 3.18mm (0.125in) thick; Silicon(IV) nitride, MgO binder, sputtering target, 50.8mm (2.0in) dia x 6.35mm (0.250in) thick; Silicon(IV) nitride, MgO binder, sputtering target, 76.2mm (3.0in) dia x 6.35mm (0.250in) thick; Silicon(IV) nitride, MgO binder, sputtering target, 50.8mm (2.0in) dia x 3.18mm (0.125in) thick

登记号

• CAS号: 12033-89-5
• EC号: 234-796-8
• MDL号: MFCD00011230
• 默克索引号: 148497

理论计算性质

• 质子受体: 1
• 质子供体: 0
• LogD (pH = 5.5): -3.7525723
• LogD (pH = 7.4): -2.4393091
• Log P: -0.978
• 摩尔折射率: 13.1149 cm^3
• 极化性: 1.1767 Å^3
• 极化表面积: 0.0 Å^2
• 可自由旋转的化学键: 0
• 里宾斯基五规则: true

分子性质

理化性质

• 外观: <1 Micron Powder; <10 Micron Powder, S.A. 5.0m2/g; -325 Mesh Powder
• 熔点: 1900°C subl.
• 密度: 3.2

安全信息

• RTECS编号: VW0650000
• 欧盟危险性物质标志: 刺激性(Irritant) (Xi)
• 危险公开号: 37
• 安全公开号: 60
• TSCA收录: 是
• GHS危险品标识: GHS07
• GHS危险声明: H335
• GHS警示性声明: P261-P304+P340-P312-P405-P403+P233-P501A

产品相关信息

• 纯度: 95%; 99.3% (metals basis), typically 90% beta-phase; 99.85% (metals basis), 90+% alpha-phase; 99.9% (metals basis)