manganese(1+) ion 3-methylcyclopenta-2,4-dien-1-ide tris(methanidylidyneoxidanium)

• ChemBase编号: 150453
• 分子式: C9H7MnO3
• 平均质量: 218.088129
• 单一同位素质量: 217.97756418
• SMILES: CC1=C[CH-]C=C1.[C-]#[O+].[C-]#[O+].[C-]#[O+].[Mn+]
• Canonical SMILES: CC1=C[CH-]C=C1.[C-]#[O+].[C-]#[O+].[C-]#[O+].[Mn+]
• InChI: InChI=1S/C6H7.3CO.Mn/c1-6-4-2-3-5-6;3*1-2;/h2-5H,1H3;;;;/q-1;;;;+1
• InChIKey: KPKMQYCSOVZNMI-UHFFFAOYSA-N

名称和登记号

名称

• IUPAC标准名: manganese(1+) ion 3-methylcyclopenta-2,4-dien-1-ide tris(methanidylidyneoxidanium)
• IUPAC传统名: manganese(1+) ion 3-methylcyclopenta-2,4-dien-1-ide tris(carbon monoxide)
• 别名: 2-甲基环戊二烯三羰基锰; (Methylcyclopentadienyl)tricarbonylmanganese; Ethyl MMT; MCMT; MMT; NSC 22316; Tricarbonyl(2-methylcyclopentadienyl)manganese; (Methylcyclopentadienyl)manganese(I) tricarbonyl

登记号

• CAS号: 12108-13-3
• EC号: 235-166-5
• MDL号: MFCD00001426
• PubChem SID: 162244614; 24859093
• PubChem CID: 25511

理论计算性质

• Acid pKa: 16.116909
• 质子受体: 0
• 质子供体: 0
• LogD (pH = 5.5): 1.7423613
• LogD (pH = 7.4): 1.7423613
• Log P: 2.7152
• 摩尔折射率: 26.7562 cm^3
• 极化性: 10.544586 Å^3
• 极化表面积: 0.0 Å^2
• 可自由旋转的化学键: 0
• 里宾斯基五规则: true

分子性质

理化性质

• 熔点: -1 °C(lit.)
• 沸点: 232-233 °C(lit.)
• 闪点: 204.8 °F; 96 °C
• 密度: 1.38 g/mL at 25 °C(lit.)
• 折射率: n20/D 1.584(lit.)
• 蒸汽压: 0.05 mmHg ( 20 °C)
• 蒸汽密度: >1 (vs air)

安全信息

• RTECS编号: OP1450000
• 欧盟危险性物质标志: 有毒(Toxic) (T)
• 联合国危险货物编号: 3281
• 德国WGK号: 3
• 联合国危险货物等级: 6.1
• 联合国危险货物包装类别(PG): 2
• 危险公开号: 23/24/25-40
• 安全公开号: 23-26-36/37/39-45
• GHS危险品标识: GHS06; GHS08
• GHS警示词: Danger
• GHS危险声明: H300 + H330-H311-H351
• GHS警示性声明: P260-P264-P280-P284-P301 + P310-P310
• 个人保护装置: Eyeshields, Faceshields, full-face respirator (US), Gloves, multi-purpose combination respirator cartridge (US), type ABEK (EN14387) respirator filter
• RID/ADR: UN 3281 6.1/PG 2

产品相关信息

• 线性分子式: C5H4CH3Mn(CO)3

详细说明

Sigma Aldrich - 317632

包装
1, 50 g in glass bottle
Application

• Used for doping of ZnSe nanocrystals1Reactant for:
• Aldol addition reactions2
• Preparation of homo- and heteronuclear mixed biscarbene complexes with conjugated bithiophene units3
• Molecular fragmentation using shaped femtosecond laser pulses4
• Preparation of MnAs thin films grown on GaAs(001) by metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE)5